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蓉矽半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過(guò)AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證

蓉矽半導(dǎo)體本次AEC-Q101車(chē)規(guī)級(jí)可靠性考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核由第三方權(quán)威檢測(cè)機(jī)構(gòu)——廣電計(jì)量進(jìn)行。

新品發(fā)布 | 蓉矽半導(dǎo)體1200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET量產(chǎn)

蓉矽半導(dǎo)體導(dǎo)通電阻低至12mΩ的SiC MOSFET量產(chǎn)。

榮獲雙獎(jiǎng)，創(chuàng)新不止！蓉矽半導(dǎo)體第二代車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET正式發(fā)布

蓉矽半導(dǎo)體正式發(fā)布第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品

展會(huì)回顧 | 2024新能源光儲(chǔ)充及制氫產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇

蓉矽半導(dǎo)體受邀進(jìn)行“高頻高效：基于SiC的光儲(chǔ)充解決方案”的主題演講并榮獲“2024光儲(chǔ)充及制氫產(chǎn)業(yè)鏈年度創(chuàng)新明星供應(yīng)商”。

自主研發(fā)，創(chuàng)新突圍 | 蓉矽半導(dǎo)體榮獲“2023年度最佳功率器件獎(jiǎng)”！

蓉矽半導(dǎo)體自主設(shè)計(jì)、研發(fā)的1200V/40mΩ碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管- NE1M120C40HT 榮獲“2023年度最佳功率器件”獎(jiǎng)項(xiàng)！

蓉矽半導(dǎo)體榮獲2023司南科技獎(jiǎng)“年度新銳汽車(chē)半導(dǎo)體企業(yè)”

11月23日，蓉矽半導(dǎo)體憑借在“產(chǎn)品創(chuàng)新、設(shè)計(jì)可靠性與技術(shù)水平、市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力”等維度上的優(yōu)異表現(xiàn)獲評(píng)2023司南科技獎(jiǎng)“年度新銳汽車(chē)半導(dǎo)體企業(yè)”。