近日，蓉矽半導體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核，同時通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導入測試并量產(chǎn)交付。本次考核由第三方權(quán)威檢測機構(gòu)——廣電計量進行。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V，而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V，蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了 HV-H3TRB可靠性驗證，同時對于應用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題，蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核，表明器件在在更為極端的應用場景中，也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性，可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級可靠性要求。
現(xiàn)階段行業(yè)中，AEC-Q101只是車規(guī)的門檻，如何保證交給客戶的每一個批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個標準的才是考驗。蓉矽半導體正在用DFR設計理念，全供應鏈管理體系，完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件。
蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V，最大可持續(xù)電流達75A。
產(chǎn)品特點如下：
采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式，增加溝道密度、降低溝道電阻，提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力；
采用多晶硅網(wǎng)絡優(yōu)化技術(shù)，充分降低柵極內(nèi)阻，提高器件在開關(guān)過程中對輸入電容的充放電速度，降低器件開關(guān)損耗；
采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù)，降低器件在結(jié)終端的曲率效應，提高器件耐壓能力；采用開爾文源的PAD設置，降低封裝中的雜散電感；
VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ；
得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化，蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。