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蓉矽半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗(yàn)證
[ 來源:蓉矽半導(dǎo)體  時(shí)間:2024-06-25  閱讀:2251次 ]

近日,蓉矽半導(dǎo)體自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核,同時(shí)通過了新能源行業(yè)頭部廠商的導(dǎo)入測試并量產(chǎn)交付。本次考核由第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)——廣電計(jì)量進(jìn)行。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V,AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)中對(duì)H3TRB項(xiàng)目的反偏電壓要求通常為100V,而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了  HV-H3TRB可靠性驗(yàn)證,同時(shí)對(duì)于應(yīng)用端特別關(guān)注的柵氧可靠性問題,蓉矽的產(chǎn)品通過了VGS=+22V/-8V的嚴(yán)苛HTGB考核,表明器件在在更為極端的應(yīng)用場景中,也有優(yōu)秀的穩(wěn)定性和可靠性,可滿足新能源汽車、光伏逆變等領(lǐng)域?qū)β势骷母哔|(zhì)量和車規(guī)級(jí)可靠性要求。

現(xiàn)階段行業(yè)中,AEC-Q101只是車規(guī)的門檻,如何保證交給客戶的每一個(gè)批次、每一顆產(chǎn)品都是符合這個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的才是考驗(yàn)。蓉矽半導(dǎo)體正在用DFR設(shè)計(jì)理念,全供應(yīng)鏈管理體系,完整的質(zhì)量管理體系向客戶提供高質(zhì)量、高可靠性SiC功率器件。

蓉矽半導(dǎo)體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級(jí)為1200V,最大可持續(xù)電流達(dá)75A。

產(chǎn)品特點(diǎn)如下:

采用溝道自對(duì)準(zhǔn)工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式,增加溝道密度、降低溝道電阻,提升器件在單位面積內(nèi)的電流能力;

采用多晶硅網(wǎng)絡(luò)優(yōu)化技術(shù),充分降低柵極內(nèi)阻,提高器件在開關(guān)過程中對(duì)輸入電容的充放電速度,降低器件開關(guān)損耗;

采用結(jié)終端優(yōu)化技術(shù),降低器件在結(jié)終端的曲率效應(yīng),提高器件耐壓能力;采用開爾文源的PAD設(shè)置,降低封裝中的雜散電感;

 VDD=800V時(shí),短路耐受時(shí)間>3μs,TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ;

得益于密勒電容和多晶硅電阻的優(yōu)化,蓉矽第一代SiC MOSFET在開關(guān)損耗上的表現(xiàn)在所有競品中處于較好水平。


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