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蓉矽半導體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規級考核和HV-H3TRB加嚴可靠性驗證
[ 來源:蓉矽半導體  時間:2024-06-25  閱讀:2263次 ]

近日,蓉矽半導體自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核,同時通過了新能源行業頭部廠商的導入測試并量產交付。本次考核由第三方權威檢測機構——廣電計量進行。

蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,AEC-Q101標準中對H3TRB項目的反偏電壓要求通常為100V,而HV-H3TRB考核則需將考核電壓提高到960V,蓉矽SiC MOSFET在此次考核中順利通過了  HV-H3TRB可靠性驗證,同時對于應用端特別關注的柵氧可靠性問題,蓉矽的產品通過了VGS=+22V/-8V的嚴苛HTGB考核,表明器件在在更為極端的應用場景中,也有優秀的穩定性和可靠性,可滿足新能源汽車、光伏逆變等領域對功率器件的高質量和車規級可靠性要求。

現階段行業中,AEC-Q101只是車規的門檻,如何保證交給客戶的每一個批次、每一顆產品都是符合這個標準的才是考驗。蓉矽半導體正在用DFR設計理念,全供應鏈管理體系,完整的質量管理體系向客戶提供高質量、高可靠性SiC功率器件。

蓉矽半導體1200V 40mΩ SiC MOSFET電壓等級為1200V,最大可持續電流達75A。

產品特點如下:

采用溝道自對準工藝和凸多邊形密鋪的元胞布局形式,增加溝道密度、降低溝道電阻,提升器件在單位面積內的電流能力;

采用多晶硅網絡優化技術,充分降低柵極內阻,提高器件在開關過程中對輸入電容的充放電速度,降低器件開關損耗;

采用結終端優化技術,降低器件在結終端的曲率效應,提高器件耐壓能力;采用開爾文源的PAD設置,降低封裝中的雜散電感;

 VDD=800V時,短路耐受時間>3μs,TO-247-4封裝測試開啟損耗為635μJ;

得益于密勒電容和多晶硅電阻的優化,蓉矽第一代SiC MOSFET在開關損耗上的表現在所有競品中處于較好水平。


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