4月23日，以“新能源 芯時代”為主題的“CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會在蘇州獅山國際會議中心圓滿舉行。
榮獲雙獎，再接再厲
在當(dāng)天晚上的CIAS金翎獎頒獎典禮上，蓉矽半導(dǎo)體1200V/75mΩ NovuSiC? MOSFET和1200V/40mΩ DuraSiC? MOSFET分別榮獲：
“2024 年度最具市場力產(chǎn)品獎”“2024 年度最具創(chuàng)新力產(chǎn)品獎”雙料獎項，證明了蓉矽半導(dǎo)體卓越的產(chǎn)品價值和充分的市場認(rèn)可。
4月24日，蓉矽半導(dǎo)體研發(fā)中心總經(jīng)理高巍博士受邀出席汽車電子創(chuàng)新論壇并作主題演講。
高可靠性車載SiC功率器件是高質(zhì)量國產(chǎn)替代的關(guān)鍵
在演講中，他首先指出，SiC作為第三代半導(dǎo)體材料，因其材料性能推動了器件性能的提升，繼而帶動了系統(tǒng)性能的優(yōu)化，在OBC和主逆變應(yīng)用中，可有效降低系統(tǒng)損耗和成本，提高系統(tǒng)效率，是新能源汽車應(yīng)用的主流趨勢。與此同時，車載應(yīng)用需要滿足嚴(yán)苛的高可靠性要求，這對產(chǎn)品供應(yīng)商的設(shè)計工藝、質(zhì)量管理體系、供應(yīng)鏈體系等提出了挑戰(zhàn)。
針對上述問題，蓉矽半導(dǎo)體在常規(guī)UIS、DVDS篩選的基礎(chǔ)上，增加了高應(yīng)力測試項目以刪除早期失效產(chǎn)品；降低工作狀態(tài)下的柵氧化層電場強(qiáng)度，有效緩解因隧穿電流造成的退化，延長器件壽命、降低器件偶發(fā)失效率。
為保障柵氧可靠性，蓉矽半導(dǎo)體采取了以下對策：
1. 增加?xùn)叛趸瘜雍穸葨艠O氧化層的可靠性隨氧化層厚度的增加而呈指數(shù)級提高，但導(dǎo)通電阻僅呈線性增加。蓉矽半導(dǎo)體通過優(yōu)化柵氧化層厚度與電阻的關(guān)系，在保證導(dǎo)通電阻的前提下采用更厚的柵氧，保證電性能的同時提高了柵氧可靠性。
2. 在晶圓測試階段引入WLTBI
晶圓測試階段引入WLTBI（Wafer-Level Test & Burn-In）在高溫度/電壓應(yīng)力的作用下，篩除SiC MOSFET中早期失效和偶發(fā)失效過渡區(qū)域內(nèi)存在風(fēng)險的器件。依托蓉矽半導(dǎo)體自建的柵氧壽命評估模型，通過WLTBI的老化篩選，完全可以滿足柵氧20年壽命的車規(guī)要求。
在CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會上，蓉矽半導(dǎo)體正式發(fā)布第二代SiC MOSFET。
新品發(fā)布，創(chuàng)新不止
在展會現(xiàn)場，蓉矽半導(dǎo)體正式發(fā)布第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，獲取更多產(chǎn)品信息可聯(lián)系銷售經(jīng)理：
劉先生 (全國) ：18082837494
任女士 (西北) ：18566785563
關(guān)于“金翎獎”
“金翎獎”評選活動是由CIAS組委會組織并公開舉辦的行業(yè)專業(yè)評選，創(chuàng)辦于2021年，旨在推動車規(guī)級功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，鼓勵技術(shù)創(chuàng)新、提升企業(yè)品牌價值，展望行業(yè)和企業(yè)未來發(fā)展。迄今為止，共計超500家功率半導(dǎo)體企業(yè)報名、約350款功率半導(dǎo)體產(chǎn)品申報，吸引30萬+專業(yè)讀者在線投票，是高含金量的功率半導(dǎo)體行業(yè)大獎。