自1200V 75mΩ/40mΩ NovuSiC? MOSFET量產后，蓉矽半導體再接再厲，1200V 12mΩ SiC MOSFET這一國內最低導通電阻產品開始量產，首批次量產平均良率高達80%，滿足車規主驅芯片的高可靠性要求，為高質量國產替代提供了堅實保障。
自成立之初，蓉矽半導體就一直堅守正向研發路徑，每款產品都來自實際市場應用需求。在應用端客戶關心的驅動電壓上，同時推出了15V驅動與20V驅動兩種SiC MOSFET產品，從產品設計端開始就著力解決客戶所需。
在封裝型號上，蓉矽半導體推出了TO-247-4L、TO-247-3L以及TO-263-7L等多種封裝形式。全系列產品均采用環保物料，完成了RoHS、REACH認證，獲取了SGS報告，全面滿足光伏、風電、汽車電子、工業電源和儲能等領域的應用需求。
作為一家專注碳化硅功率半導體器件設計的公司，蓉矽半導體經過三年的努力，完成了從材料、晶圓到封測的全工藝鏈整合。自今年起，蓉矽半導體全SiC系列產品實現了穩定的保質保供，為客戶方案導入、批量生產提供了強有力的支持。
關于蓉矽半導體
成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業，擁有臺灣漢磊科技第一優先級產能保障，致力于自主開發世界一流水平的車規級碳化硅器件。
蓉矽半導體擁有高性價比“NovuSiC?”和高可靠性“DuraSiC?”產品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR?，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。
蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質量管理體系認證，涵蓋設計、晶圓制造和封測等環節，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。在國內率先投資引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統，保障碳化硅晶圓出廠質量與可靠性超越行業最高標準。