5月15-17日，“2024新能源光儲充產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在合肥市舉行。蓉矽半導(dǎo)體受邀進行“高頻高效：基于SiC的光儲充解決方案”的主題演講并榮獲“2024光儲充及制氫產(chǎn)業(yè)鏈年度創(chuàng)新明星供應(yīng)商”。
不負(fù)榮譽，再接再厲
高頻高效，賦能碳中和
在演講中，蓉矽半導(dǎo)體應(yīng)用工程部總監(jiān)王德強首先指出，推動新能源高質(zhì)量發(fā)展是我國實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的根本保證，而要提高能效，降低碳排放的核心就在于功率半導(dǎo)體器件。面對當(dāng)前活躍的光伏、儲能和直流充電樁市場，碳化硅大有可為。
光伏逆變器解決方案
在光伏逆變器主拓?fù)鋺?yīng)用中，蓉矽半導(dǎo)體工規(guī)級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS?二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于二極管+硅基IGBT的傳統(tǒng)解決方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關(guān)頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導(dǎo)體EJBS?+SiC MOSFET方案可將開關(guān)頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。
針對1500V光伏和儲能系統(tǒng)的新需求，蓉矽半導(dǎo)體專門開發(fā)了2000V碳化硅EJBS?和MOSFET，將三電平拓?fù)浜喕癁閮呻娖酵負(fù)洌蓽p少50%的器件使用，提升0.5%的全功率段效率。
蓉矽M-MOS技術(shù)助力EV高效可靠
我國新能源汽車發(fā)展勢頭強勁，釋放了巨大的需求空間。為解決里程焦慮和充電便捷性的問題，800V或更高電池電壓平臺是大勢所趨。
蓉矽半導(dǎo)體創(chuàng)新性的M-MOSTM技術(shù)，可助力EV與EV充電樁實現(xiàn)更高效率和可靠性。20kW直流充電模塊中，基于蓉矽半導(dǎo)體第二代1200V 75/40mΩ SiC MOSFET的兩電平方案采用三相全橋PFC+CLLC系統(tǒng)拓?fù)洌Y(jié)構(gòu)簡單、控制方便，可減少50%的器件用量，降低50%的總損耗，峰值效率可達97%以上，助力800V高壓快充充電樁行業(yè)的發(fā)展。
儲能變流器解決方案
儲能系統(tǒng)是能源存儲與管理的核心環(huán)節(jié)，在推動新能源高質(zhì)量發(fā)展的過程中起著關(guān)鍵作用。
100kW工商業(yè)儲能變流器中，蓉矽半導(dǎo)體通過提供采用1200V NovuSiC? MOSFET的T型三電平解決方案，在雙向應(yīng)用中可以有效解決IGBT+FRD熱分布不均的問題，可以助力儲能變流器（PCS）降本增效。
第二代SiC MOSFET設(shè)計亮點
在本次演講中，他還分享了蓉矽半導(dǎo)體第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET的設(shè)計亮點、關(guān)鍵特性。相較前代產(chǎn)品，具有以下特點：
降低動態(tài)損耗，改善串?dāng)_影響
器件元胞尺寸縮減37%
驅(qū)動電壓降低，-5/+20V → -3/+18V
密勒電容降低70%，可靠性大幅提升，Eox@1200V降低50%
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