5月15-17日，“2024新能源光儲充產業創新發展高峰論壇”在合肥市舉行。蓉矽半導體受邀進行“高頻高效：基于SiC的光儲充解決方案”的主題演講并榮獲“2024光儲充及制氫產業鏈年度創新明星供應商”。
不負榮譽，再接再厲
高頻高效，賦能碳中和
在演講中，蓉矽半導體應用工程部總監王德強首先指出，推動新能源高質量發展是我國實現“雙碳”目標的根本保證，而要提高能效，降低碳排放的核心就在于功率半導體器件。面對當前活躍的光伏、儲能和直流充電樁市場，碳化硅大有可為。
光伏逆變器解決方案
在光伏逆變器主拓撲應用中，蓉矽半導體工規級NovuSiC?光伏逆變器解決方案包含SiC EJBS?二極管與1200V 75/40mΩ SiC MOSFET。相較于二極管+硅基IGBT的傳統解決方案，基于SiC器件的解決方案可將逆變器體積縮小60%左右，大幅提高功率密度。在相同的開關頻率下（20kHz@10kW），蓉矽半導體NovuSiC? MOSFET可降低50%的損耗；在相同損耗下（98W@10kW），蓉矽半導體EJBS?+SiC MOSFET方案可將開關頻率提升2倍左右，即可從20kHz提高至40kHz。
針對1500V光伏和儲能系統的新需求，蓉矽半導體專門開發了2000V碳化硅EJBS?和MOSFET，將三電平拓撲簡化為兩電平拓撲，可減少50%的器件使用，提升0.5%的全功率段效率。
蓉矽M-MOS技術助力EV高效可靠
我國新能源汽車發展勢頭強勁，釋放了巨大的需求空間。為解決里程焦慮和充電便捷性的問題，800V或更高電池電壓平臺是大勢所趨。
蓉矽半導體創新性的M-MOSTM技術，可助力EV與EV充電樁實現更高效率和可靠性。20kW直流充電模塊中，基于蓉矽半導體第二代1200V 75/40mΩ SiC MOSFET的兩電平方案采用三相全橋PFC+CLLC系統拓撲，結構簡單、控制方便，可減少50%的器件用量，降低50%的總損耗，峰值效率可達97%以上，助力800V高壓快充充電樁行業的發展。
儲能變流器解決方案
儲能系統是能源存儲與管理的核心環節，在推動新能源高質量發展的過程中起著關鍵作用。
100kW工商業儲能變流器中，蓉矽半導體通過提供采用1200V NovuSiC? MOSFET的T型三電平解決方案，在雙向應用中可以有效解決IGBT+FRD熱分布不均的問題，可以助力儲能變流器（PCS）降本增效。
第二代SiC MOSFET設計亮點
在本次演講中，他還分享了蓉矽半導體第二代1200V/20mΩ SiC MOSFET的設計亮點、關鍵特性。相較前代產品，具有以下特點：
降低動態損耗，改善串擾影響
器件元胞尺寸縮減37%
驅動電壓降低，-5/+20V → -3/+18V
密勒電容降低70%，可靠性大幅提升，Eox@1200V降低50%
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