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成都蓉矽半導(dǎo)體有限公司 (NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) 成立于2019年，是致力于第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率器件設(shè)計與開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。

蓉矽擁有一支掌握碳化硅核心技術(shù)的國際化團(tuán)隊，整合臺灣與歐洲先進(jìn)碳化硅制造工藝平臺，結(jié)合大陸封測和應(yīng)用解決方案，建立了材料、外延、晶圓制造與封裝測試均符合IATF 16949質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)的完整供應(yīng)鏈，獨(dú)立自主開發(fā)世界一流水平的車規(guī)級碳化硅器件。

蓉矽碳化硅產(chǎn)品分為高性價比的“NovuSiC?”和高可靠性的“DuraSiC?”系列。產(chǎn)品涵蓋碳化硅EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky)二極管與碳化硅MOSFET；硅基產(chǎn)品有175?C高結(jié)溫的理想二極管MCR?（MOS-Controlled Rectifier）及FRMOS（Fast Recovery MOSFET)。廣泛應(yīng)用于工控電源、工業(yè)電機(jī)、光伏逆變、儲能、充電樁及新能源汽車等領(lǐng)域。




23項
知識產(chǎn)權(quán)
18項
發(fā)明
5項
實用新型專利
3項
PCT
發(fā)展歷程
2024.04
第二代車規(guī)級SiC MOSFET正式發(fā)布
蓉矽半導(dǎo)體第二代NovuSiC? 1200V 20mΩ SiC MOSFET正式發(fā)布
2024.04
2024.03
通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證
蓉矽半導(dǎo)體碳化硅MOSFET通過AEC-Q101車規(guī)級考核和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性驗證
2024.03
2023.12
《2023 碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》正式發(fā)布
蓉矽半導(dǎo)體參編《2023 碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》，助力產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展創(chuàng)新
2023.12
2023.11
四川省專精特新中小企業(yè)認(rèn)定
蓉矽半導(dǎo)體順利通過2023年度四川省專精特新中小企業(yè)認(rèn)定
2023.11
2023.09
NEPCON Japan 2023日本國際電子展
蓉矽半導(dǎo)體攜明星產(chǎn)品亮相NEPCON Japan 2023 日本國際電子展，加速拓展海外市場
2023.09
2023.05
WLTBI系統(tǒng)啟動儀式
蓉矽半導(dǎo)體WLTBI系統(tǒng)啟動儀式在成都總部進(jìn)行，切實保障SiC MOSFET柵極氧化層可靠性
2023.05
2023.04
1200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET
蓉矽半導(dǎo)體1200V 12mΩ NovuSiC? MOSFET量產(chǎn)
2023.04
2023.03
通過ISO三大體系認(rèn)證
蓉矽半導(dǎo)體順利通過德國萊茵TüV集團(tuán)ISO“質(zhì)量、環(huán)境、健康”三大體系認(rèn)證
2023.03
2023.02
與臺灣漢磊科技成為長期戰(zhàn)略合作伙伴
漢磊科技將蓉矽半導(dǎo)體代工產(chǎn)品優(yōu)先級列為第一等級
2023.02
2022.11
高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定
蓉矽半導(dǎo)體順利獲批四川省2022年第一批高新技術(shù)企業(yè)
2022.11
2022.09
線上新品發(fā)布會成功舉辦
蓉矽半導(dǎo)體第一代碳化硅MOSFET正式發(fā)布
2022.09
2022.08
順利完成Pre-A輪融資
敬請關(guān)注9月27日線上新品發(fā)布會
2022.08
2022.06
舉辦“芯見未來”產(chǎn)品發(fā)布會
發(fā)布自主開發(fā)的NovuSiC? EJBS?和理想硅基MCR?二極管系列產(chǎn)品
2022.06
2022.01
SiC二極管（G1）量產(chǎn)
1200V/20A EJBS?二極管正式量產(chǎn)
2022.01
2021.12
訂單金額達(dá)300萬
硅基MCR?訂單金額達(dá)300萬
2021.12
2021.10
SiC MOSFET（G1) 量產(chǎn)
SiC MOSFET（G1) 1200V/75mΩ 正式量產(chǎn)
2021.10
2021.05
SiC MOSFET(G1)開發(fā)成功
1200V/75mΩ SiC MOSFET 第一次工程流片即達(dá)91.2%良率
2021.05
2021.03
天使輪融資完成
進(jìn)行MCR產(chǎn)品優(yōu)化及SiC產(chǎn)品量產(chǎn)
2021.03
2021.01
硅基MCR科技成果轉(zhuǎn)化
電子科大功率集成技術(shù)實驗室專利突破性硅基理想二極管
2021.01
2020.11
SiC二極管(G1)開發(fā)成功
1200V/20A EJBS? SiC二極管首次工程流片即達(dá)97%良率
2020.11
2019.12
蓉矽半導(dǎo)體成立
設(shè)立于成都市高新區(qū)外資矽能科技功率半導(dǎo)體孵化器
2019.12
質(zhì)量管理體系

蓉矽半導(dǎo)體擁有ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證，建立了IATF 16949供應(yīng)鏈體系，嚴(yán)控產(chǎn)業(yè)鏈。

在全國范圍內(nèi)率先投資引入國際先進(jìn)WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 測試系統(tǒng)，確保碳化硅晶圓出廠質(zhì)量與可靠性達(dá)到行業(yè)最高標(biāo)準(zhǔn)。

蓉矽出品的產(chǎn)品均嚴(yán)格執(zhí)行AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，并在此基礎(chǔ)上創(chuàng)造性地提出了公司內(nèi)部的AEC-Q101+標(biāo)準(zhǔn)，稱之為 NovuSuperior。