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傳統(tǒng)的JBS用P型注入格柵對(duì)肖特基接觸進(jìn)行電場削弱，以此來降低肖特基接觸在阻斷狀態(tài)下的漏電流。但是由于JBS表面為肖特基接觸，金屬與P型格柵形成了反向偏置的勢壘層，因此P型格柵和N型襯底之間無法形成PIN二極管。
但是EJBS采用更加優(yōu)化的RTA以及P型格柵設(shè)計(jì)，使得EJBS的PIN二極管可以在更低的電壓下導(dǎo)通。這樣帶來的好處是EJBS在承受浪涌電流時(shí)可以及時(shí)地進(jìn)入雙極導(dǎo)通狀態(tài)，降低浪涌電流產(chǎn)生的熱累積。
通常情況下，傳統(tǒng)JBS IFSM@(10ms, half sine)僅能到達(dá)7倍左右，但是EJBS能夠大于10倍。
蓉矽半導(dǎo)體NovuSiC?碳化硅MOSFET G1&G2是平面結(jié)構(gòu)，并將在此基礎(chǔ)上推出單片集成的碳化硅MOSFET產(chǎn)品，以改善其體二極管特性。
另外，蓉矽半導(dǎo)體已經(jīng)擁有溝槽結(jié)構(gòu)MOSFET的國內(nèi)與國際授權(quán)專利，具備溝槽型MOSFET設(shè)計(jì)開發(fā)能力。
蓉矽半導(dǎo)體初代G1平面型產(chǎn)品的Ron,sp為4.2mΩ·cm2，Qgd=22nC，電性能已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。按照技術(shù)發(fā)展路徑，第二代G2的性能將會(huì)超越當(dāng)前國際標(biāo)準(zhǔn)。
在此基礎(chǔ)上，蓉矽半導(dǎo)體擁有定制化能力，可以針對(duì)客戶應(yīng)用需求進(jìn)行特定規(guī)格的開發(fā)。
蓉矽半導(dǎo)體碳化硅二極管首次流片良率即達(dá)97%，碳化硅MOSFET首次流片良率為91.2%，均為一次流片成功。這在半導(dǎo)體行業(yè)是非常高的榮譽(yù)，也贏得了供應(yīng)商的高度認(rèn)可。
其次，蓉矽半導(dǎo)體非常重視供應(yīng)鏈資源整合，與襯底、外延及fab廠商均建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系與技術(shù)合作開發(fā)，可以確保供應(yīng)商的優(yōu)先支持和穩(wěn)定供貨。
從材料到客戶，我們將每一環(huán)節(jié)都集成在完整的流程鏈條中，確保自下而上和自上而下兩種方向的信息均能高效流通和互聯(lián)，對(duì)整個(gè)供應(yīng)鏈系統(tǒng)進(jìn)行協(xié)調(diào)、操作、控制、優(yōu)化。
