NovuSiC? EJBS?
NovuSiC?是蓉矽半導體的高性價比產品系列，該系列嚴格按照NovuStandard（工規級）標準考核驗證。
產品介紹：1200V/20A NovuSiC? EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)具備PiN和SBD的復合結構，在不增加工藝復雜度的同時，賦予其可媲美MPS (Merged PiN Schottky) 結構的11倍以上的高抗浪涌電流能力。
NovuSiC?系列嚴格按照NovuStandard（工規級）標準進行考核驗證，能夠為光伏、直流快充等領域帶來可靠性要求更高、成本更優的解決方案。
產品亮點：高抗浪涌電流能力（11倍）；低反向漏電（5μA）；低正向導通壓降；零反向恢復電流；最高工作結溫為175℃。
應用場景示例：
（1）1100V光伏系統Boost PFC應用場景：在11kW光伏逆變器應用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。
（2）20kW充電樁Vienna整流應用場景：在相同應用條件下，NovuSiC?EJBS?可提升1.05%的系統效率，降低91%的開關損耗和50%的總損耗。
