NovuSiC? EJBS?
NovuSiC?是蓉矽半導(dǎo)體的高性價(jià)比產(chǎn)品系列，該系列嚴(yán)格按照NovuStandard（工規(guī)級(jí)）標(biāo)準(zhǔn)考核驗(yàn)證。
產(chǎn)品介紹：1200V/20A NovuSiC? EJBS? (Enhanced Junction Barrier Schottky Diode)具備PiN和SBD的復(fù)合結(jié)構(gòu)，在不增加工藝復(fù)雜度的同時(shí)，賦予其可媲美MPS (Merged PiN Schottky) 結(jié)構(gòu)的11倍以上的高抗浪涌電流能力。
NovuSiC?系列嚴(yán)格按照NovuStandard（工規(guī)級(jí)）標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行考核驗(yàn)證，能夠?yàn)楣夥⒅绷骺斐涞阮I(lǐng)域帶來(lái)可靠性要求更高、成本更優(yōu)的解決方案。
產(chǎn)品亮點(diǎn)：高抗浪涌電流能力（11倍）；低反向漏電（5μA）；低正向?qū)▔航担涣惴聪蚧謴?fù)電流；最高工作結(jié)溫為175℃。
應(yīng)用場(chǎng)景示例：
（1）1100V光伏系統(tǒng)Boost PFC應(yīng)用場(chǎng)景：在11kW光伏逆變器應(yīng)用中，相較FRD， NovuSiC? EJBS?可降低約30%的系統(tǒng)總損耗，分別降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二極管溫升。
（2）20kW充電樁Vienna整流應(yīng)用場(chǎng)景：在相同應(yīng)用條件下，NovuSiC?EJBS?可提升1.05%的系統(tǒng)效率，降低91%的開關(guān)損耗和50%的總損耗。
