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SiC晶體：

采用慣用基矢表示的4H-SiC晶體為六方晶系，這是4H-SiC中“H”（Hexagon）的來源 SiC分子堆疊的過程中共有3種可能的位置，根據堆疊周期和循環方式的不同形成了不同的多型體結構（SiC的多型體結構高達200種以上）。

4H-SiC采用ABCB的堆疊方式，周期為4，這也是4H-SiC中“4”的由來。

SiC材料優勢在哪里？

 碳化硅是寬禁帶半導體材料的典型代表，是高溫、高頻、大功率等應用場合下的理想半導體材料。

• 寬禁帶：SiC禁帶寬度是Si的三倍，超高的禁帶寬度使得價態電子躍遷為自由電子的能量提高，從而使得SiC器件可以應用于高溫、高壓、強輻射等極端環境而不失效。

• 高臨界擊穿電場強度：臨界擊穿電場強度是Si的10倍，這意味著同樣厚度的材料，SiC可以承受遠大于Si的耐壓；換言之，在滿足相同耐壓的情況下，SiC可以實現遠低于Si的導通電阻。

• 高熱導率：熱導率是Si的3倍多，這意味著SiC器件可以采用更加簡化的散熱系統，大幅度降低散熱成本。

• 高飽和電子漂移速度：飽和電子漂移速度是Si的接近三倍，這意味著SiC器件可以工作在更高的開關速度和開關頻率下，可以極大程度地減小器件的開關損耗。并且顯著減小濾波器等無源器件的尺寸，使得系統整體小型化輕量化。