DuraSiC? MOSFET
DuraSiC?是蓉矽半導(dǎo)體的高可靠性車規(guī)級(jí)產(chǎn)品系列，嚴(yán)格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)標(biāo)準(zhǔn)考核驗(yàn)證。
技術(shù)保障：
DuraSiC?是蓉矽半導(dǎo)體的高可靠性車規(guī)級(jí)產(chǎn)品系列，嚴(yán)格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)標(biāo)準(zhǔn)考核驗(yàn)證：在晶圓測(cè)試階段，通過(guò)WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)系統(tǒng)篩除柵氧化層于產(chǎn)品生命周期中的潛在退化/失效，提高篩選后器件的柵氧可靠性及使用壽命；封裝成品通過(guò)AEC-Q101測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。
產(chǎn)品亮點(diǎn)：
1200V/40mΩ DuraSiC? MOSFET在20V驅(qū)動(dòng)電壓下，導(dǎo)通電阻為40mΩ，可兼容18V驅(qū)動(dòng)電壓，導(dǎo)通電阻為43mΩ； VDD=800V時(shí)，短路耐受時(shí)間>3μs，TO-247-4L 下測(cè)試開(kāi)啟損耗為635μJ；最大可持續(xù)電流為75A。
應(yīng)用領(lǐng)域：OBC、直流充電樁模塊、光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器等領(lǐng)域
