DuraSiC? MOSFET
DuraSiC?是蓉矽半導(dǎo)體的高可靠性車規(guī)級產(chǎn)品系列，嚴格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)標準考核驗證。
技術(shù)保障：
DuraSiC?是蓉矽半導(dǎo)體的高可靠性車規(guī)級產(chǎn)品系列，嚴格按照 NovuSuperior (AEC-Q101+)標準考核驗證：在晶圓測試階段，通過WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in)系統(tǒng)篩除柵氧化層于產(chǎn)品生命周期中的潛在退化/失效，提高篩選后器件的柵氧可靠性及使用壽命；封裝成品通過AEC-Q101測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。
產(chǎn)品亮點：
1200V/40mΩ DuraSiC? MOSFET在20V驅(qū)動電壓下，導(dǎo)通電阻為40mΩ，可兼容18V驅(qū)動電壓，導(dǎo)通電阻為43mΩ； VDD=800V時，短路耐受時間>3μs，TO-247-4L 下測試開啟損耗為635μJ；最大可持續(xù)電流為75A。
應(yīng)用領(lǐng)域：OBC、直流充電樁模塊、光伏逆變器、儲能變流器等領(lǐng)域
