3月30日，由全球電子技術領域知名媒體集團AspenCore主辦的2023中國IC設計成就獎頒獎典禮在上海進行。蓉矽半導體自主設計研發的1200V/75mΩ碳化硅場效應管-NC1M120C75HT榮獲“年度最佳功率器件/寬禁帶器件”獎項！蓉矽半導體將繼續保持自主創新，專注碳化硅（SiC）功率器件設計與研發，推動中國功率半導體產業的發展。
中國IC設計成就獎
2023年是第21年連續舉辦IC設計調查及獎項評選，因其秉持公正、客觀的評選標準，成為我國半導體產業IC設計領域極具公信力的社會品牌，同時是最具專業性和影響力的技術獎項之一，受到業界的廣泛認可。“中國IC設計成就獎”分為IC設計公司獎項、熱門IC產品獎項、上游服務供應商獎項和分析師推薦獎項四大類，旨在表彰業內優秀的中國IC設計公司、半導體器件和熱門IC產品。蓉矽半導體1200V/75mΩ 碳化硅場效應管-NC1M120C75HT獲此殊榮，證明了蓉矽半導體在引領電子設計創新中做出的杰出貢獻。
碳化硅場效應管
1200V/75mΩ碳化硅場效應管-NC1M120C75HT
具有全面優異的電學性能、魯棒性、可靠性，在大幅度降低靜態損耗的同時減小動態損耗，可以提高系統整體功率密度，降低系統總成本，產品特點如下：
1.低比導通電阻:
Ron,sp@(VGS=20V)=4.6mΩ·cm2
2.短路耐受時間＞3μs
3.低密勒電容：Cgd=5pF
4.柵氧化層長期可靠，電場強度遠小于常規4.0MV/cm限制
5.閾值電壓（Vth）高達2.8V，抗串擾能力強
蓉矽半導體
成都蓉矽半導體有限公司成立于2019年，是四川省首家專注碳化硅功率器件設計與開發的高新技術企業，擁有臺灣漢磊科技第一優先級產能保障，致力于自主開發世界一流水平的車規級碳化硅器件。
蓉矽半導體擁有高性價比“NovuSiC”和高可靠性“DuraSiC”產品系列，涵蓋碳化硅二極管EJBS?與碳化硅MOSFET；硅基FR MOS與理想硅基二極管MCR，應用于光伏逆變器、儲能、充電樁、OBC及新能源汽車等領域。
蓉矽半導體擁有德國萊茵ISO 9001質量管理體系認證，建立了材料、外延、制造與封裝測試均符合IATF 16949的完整供應鏈，嚴格按照AEC-Q101標準考核驗證。