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會社情報

成都蓉矽半導體有限會社(NOVUS SEMICONDUCTORS CO., LTD.) は2019年に設立され、四川省初のワイドバンドギャップ半導體SiCパワーデバイスの設計と開発に専念したハイテクノロジー企業です。

蓉矽には、SiC先端核心技術を掌握した國際化チームがあり、臺灣とヨーロッパ先進的なSiCプロセスプラットフォームを統合し、中國大陸のパッケージング組立と応用ソリューションに基づき、IATF 16949品質管理システムを基準に、原材料から、エピタキシー、ウェーハ製造、パッケージング組立までがIATF 16949品質管理基準を満たす完全的なサプライチェーンを構築し、自動車載SiCデバイスを獨自的に開発しています。

蓉矽SiC製品には、高コスパの「NovuSiC?」シリーズと高信頼性の「DuraSiC?」シリーズがあります。 SiC製品は、SiC EJBS?(Enhanced Junction Barrier Schottky)ダイオードとSiC MOSFETを含みます。Si製品には、動作溫度範囲175?C理想ダイオードMCR?(MOS-Controlled Rectifier)とFRMOS(Fast Recovery MOSFET)があります。 産業制御電源、産業モーター、太陽光発電インバーター、エネルギーストレージ、EV充電器、新エネルギー車等の分野で幅広く利用されています。


23
知的財産権
18
発明
5
実用的な新型特許
3
PCT
會社沿革
2023.03
ISO三大システム認証を取得
蓉矽半導體は順調にドイツラインTüVグループISO「品質、環境、健康」の三大システム認証を取得
2023.03
2023.02
漢磊科技と長期戦略的なパートナーシップ契約を締結
臺灣漢磊科技は蓉矽からのOEM製作依頼を最優先に
2023.02
2022.11
ハイテック企業認定を取得
2022年四川省ハイテック企業認定を取得 
2022.11
2022.09
オンライン新製品発売會を開催 
蓉矽半導體の第一世代 SiC MOSFETを正式にリリース
2022.09
2022.08
Pre-Aラウンド投資を獲得
9月27日のオンライン新製品発表會をお楽しみに!
2022.08
2022.06
「Power for the Future」製品発表會を開催
獨自に開発したNovuSiC?EJBS?とSi理想 MCR?ダイオードシリーズ製品をリリース
2022.06
2022.01
SiCダイオード(G1)を量産
1200V 20A EJBS?ダイオードを正式に量産
2022.01
2021.12
売上高は300萬元を突破
Si MCR?の売上高が300萬元を突破
2021.12
2021.10
SiC MOSFET(G1)を量産
SiC MOSFET(G1)1200V 75mΩ正式に量産
2021.10
2021.05
SiC MOSFET(G1)を開発成功
1200V 75mΩ SiC MOSFETの1st MPW良品率が91.2%に達成
2021.05
2021.03
エンジェル投資を獲得
MCR製品の最適化とSiC製品の量産化を実現
2021.03
2021.01
Si MCR
電子科技大學パワー半導體集積技術研究室の特許から転化された理想的なシリコンダイオードデバイス
2021.01
2020.11
SiCダイオード開発成功
1200V 20A EJBS SiCダイオードの1st MPWが高良品率97%に達成
2020.11
2019.12
蓉矽半導體有限會社を設立
成都市高新區外資SPTパワー半導體インキュベーターに會社を設立
2019.12
品質管理システム

蓉矽半導體はデザイン、ウェーハ製造からパッケージング組立まで、IATF16949サプライチェーンシステムを構築し、産業チェーンを厳格的に制御します。

中國に先駆けて投資し、國際先進的なWLTBI(Wafer-Level Test & Burn-in)テストシステムを導入し、SiCウェーハの出荷品質と信頼性が業界最高規格に達したことを確保します。

蓉矽から出荷した製品は、厳しくAEC-Q101規格を満たします。これに基づき、創造的に社內AEC-Q101+規格(NovuSuperiorと呼ばれる)を作りました。